American Elements
   



Products
Amorphous Silicon Powder
Calcium-Silicon Alloy
Chromium-Silicon Alloy
Ferrosilicon
Polycrystalline Silicon Powder
Silicon (By Crystallization)
Silicon Arsenide (By Crystallization)
Silicon Carbide
Silicon Phosphide (By Crystallization)
Single Crystal Silicon Ingot
Silicon
Silicon Informationen, einschließlich Technische Daten, Safety Data und seine Eigenschaften, Forschung, Anwendungen und andere nützliche Fakten sind erörtert werden. Wissenschaftliche Fakten, wie die atomare Struktur, Ionisierungenergie, Fülle auf der Erde, Leitfähigkeit und thermischen Eigenschaften sind im Preis inbegriffen.

Silizium ist ein von Menschen am nützlichsten sind. Es macht 25,7% der Erdkruste, nach Gewicht, und ist der zweite häufigste Element, überschritten wird nur durch Sauerstoff. Die Inversion ist allgemein für die Herstellung von Einkristallen von Silizium für Festkörperphysik oder Halbleiterbauelemente. Siliziumdioxid, wie Sand, ist eine der wichtigsten Bestandteile Glas, einer der kostengünstigsten von Materialien mit hervorragenden mechanischen, optischen, thermischen und elektrischen Eigenschaften. Silicon ist als Metall und Verbindungen mit Reinheiten von 99% auf 99,999% (ACS Note in höchster Reinheit); Metalle in Form von Folien, Sputtern Ziel, und Stab, und Verbindungen, wie Submikron- und Nanopuder-Verarbeitung. Ultra hochreine Silizium kann dotiert mit Bor, Gallium, Phosphor, Arsen oder zur Herstellung von Silizium für den Einsatz in Transistoren, Solarzellen, Gleichrichter, und anderen festen Zustand Geräte, die umfassend genutzt, in der Elektronik und Raumfahrt - Alter Branchen. Hydrierten amorphe Silizium hat gezeigt, Versprechen, in der Herstellung von wirtschaftlich Zellen für die Umwandlung von Sonnenenergie in Strom. Silicone sind wichtige Produkte Silizium. Sie reichen von Flüssigkeiten zu hart, Folien Feststoffe mit vielen nützlichen Eigenschaften. Thin Film Ablagerung von Silicon Nanopartikelmessungen Quantenpunkte auf der polykristallinen Silizium Substrat einer Photovoltaik (Solarenergie) Zelle erhöht Spannungsausgang so viel wie 60% durch die fluoreszierenden Licht vor der Erfassung .

Silicon Tatsachen, einschließlich Aussehen, CAS #, und molekularen Formel und Sicherheit, Forschung und Eigenschaften sind

 

  Hydrogen                                 Helium
  Lithium Beryllium                     Boron Carbon Nitrogen Oxygen Fluorine Neon
  Sodium Magnesium                     Aluminum Silicon Phosphorus Sulfur Chlorine Argon
  Potassium Calcium Scandium Titanium Vanadium Chromium Manganese Iron Cobalt Hydrogen Copper Zinc Gallium Germanium Arsenic Selenium Bromine Krypton
  Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdenum Technetium Ruthenium Rhodium Palladium Silver Cadmium Indium Tin Antimony Tellurium Iodine Xenon
  Cesium Barium Cerium Hafnium Tantalum Tungsten Rhenium Osmium Iridium Platinum Gold Mercury Thallium Lead Bismuth Polonium Astatine Radon
                                     
      Cerium Praseodymium Neodymium Promethium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutetium    
      Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Americium Curium Berkelium Californium Einsteinium Fermium Mendelevium Nobelium Lawerencium    


(Klicken Sie auf ein Element)
Für viele spezifische Staaten, Formen und Formen auf dem Produkt Seiten, die auf der linken Seite. Elemental oder metallischen Formen gehören Pellets, Stab, Draht und Granulate für die Verdunstung Ausgangsmaterial. Nanopartikel Nanopulver und die extrem hohe Fläche, die Nanotechnologie Forschung und jüngsten Experimenten demonstrieren Funktion zur Schaffung neuer und einzigartigen Eigenschaften und Vorteile.

Oxide sind in Formen einschließlich Pulvern und dichten Pellets für die Verwendung als optische Beschichtung und dünnen Film. Oxide sind in der Regel unlöslich. Fluoride sind ein weiteres unlöslichen Form für Anwendungen, in denen Sauerstoff unerwünscht wie Metallurgie, der chemischen und physikalischen Aufdampfung und in Einige optische Beschichtungen. Silicon ist in löslicher einschließlich Chloride, Nitrate und Acetate. Diese Verbindungen hergestellt werden, sind auch Lösungen in bestimmten stoichiometries.

Silizium ist ein Block D, Gruppe 14, Periode 3 Element. Die elektronische Konfiguration [Ne] 3s2 3p2. In seiner elementaren Form ist Silizium CAS-Nummer ist 7440-21-3. Die Silizium Atom hat einen Radius von 117.6.pm und es ist, Van der Waals Radius ist 210.pm.

Alle elementare Metalle, Verbindungen und Lösungen können synthetisiert werden in einer sehr hoher Reinheit (eg 99,999%) für Labor, fortgeschrittene elektronische, Metallurgie und optischen Materialien und andere hohe Technologie Vorteile. Information ist für einen stabilen (nicht radioaktiven) Isotopen. Organo - Metallic Silicon Verbindungen sind löslich in organischen oder nicht wässrigen Lösungsmitteln. Siehe Analytical Services für Informationen über verfügbare zertifiziert chemischen und physikalischen Analyse Techniken wie MS - ICP, X-Ray Diffraction, PSD und Fläche (BET) Analyse.

Silizium wurde erstmals von Jons Berzelius im Jahr 1823.

French Silicium German Silicium Italian Silicio Portuguese Silício Spanish Silicio Swedish Kisel

Abundance. The following table shows the abundance of silicon and each of its naturally occurring isotopes on Earth along with the atomic mass for each isotope.

Isotope
Atomic Mass
% Abundance on Earth
Si-28
27.976926533
92.23
Si-29
28.97649472
4.67
Si-30
29.97377022
3.10

Safety Data. The safety data for silicon metal, nanoparticles and its compounds can vary widely depending on the form. For potential hazard information, toxicity, and road, sea and air transportation limitations, such as DOT Hazard Class, DOT Number, EU Number, NFPA Health rating and RTECS Class, please see the specific material or compound referenced in the left margin.

Ionisation Energie. Die Ionisierungenergie für silicon (die am wenigsten Energie benötigt, um ein einzelnes Elektron aus dem Atom in seinem Grundzustand in der Gasphase) ist in der folgenden Tabelle dargestellt:

1st Ionization Energy
786.52 kJ mol-1
2nd Ionization Energy
1577.15 kJ mol-1
3rd Ionization Energy
3231.61 kJ mol-1

Conductivity. As to silicon's electrical and thermal conductivity, the electrical conductivity measured as to electrical resistivity @ 20 ºC is 10 μΩcm and its electronegativities (or its ability to draw electrons relative to other elements) is 1.9. The thermal conductivity of silicon is 148 W m-1 K-1.

Thermal Properties. The melting point and boiling point for silicon are stated below. The following chart sets forth the heat of fusion, heat of vaporization and heat of atomization.

Heat of Fusion
39.6 kJ mol-1
Heat of Vaporization
383.3 kJ mol-1
Heat of Atomization
451.29 kJ mol-1

 
Formula Atomic Number Molecular Weight Electronegativity (Pauling) Density Melting Point
Boiling Point
Vanderwaals radius
Ionic radius Energy of first ionization
Si 14 28.0855 g.mol -1 1.8 2.33 g.cm-3 at 20 °C 1410 °C 3265 °C 0.132 nm 0.271 nm (-4) ; 0.041 (+4) 786.3 kJ.mol-1

PRODUCT CATALOG German Operations Submicron & Nanopowder Tolling Ultra High Purity Sputtering Target Crystal Growth Rod, Plate, Powder, etc. Foil
 
© 2001-2007. American Elements is a U.S. Registered Trademark. All rights reserved.
This website and all pages, designs, concepts, logos, and color schemes herein are
the copyrighted proprietary rights and intellectual property of American Elements.

 

Recent Research & Development for Silicon

  • Metal patterning on silicon surface by site-selective electroless deposition through colloidal crystal templating. J Colloid Interface Sci. 2007 Oct 1; [Epub ahead of print]

  • Initial site of bile regurgitation following extrahepatic biliary obstruction in living rats. J Gastroenterol Hepatol. 2007 Nov;22(11):1983-92.

  • Analytical Performance of a Venturi-Assisted Array of Micromachined Ultrasonic Electrosprays Coupled to Ion Trap Mass Spectrometry for the Analysis of Peptides and Proteins. Anal Chem. 2007 Oct 3; [Epub ahead of print]

  • Silicon-based microfilters for whole blood cell separation. Biomed Microdevices. 2007 Oct 4; [Epub ahead of print]

  • The role of aluminium and silicon in the setting chemistry of glass ionomer cements. J Mater Sci Mater Med. 2007 Oct 4; [Epub ahead of print]

  • Thin films of SiO(2) and hydroxyapatite on titanium deposited by spray pyrolysis. J Mater Sci Mater Med. 2007 Oct 4; [Epub ahead of print]

  • Exploration of the use of novel SiO(2) nanocomposites doped with fluorescent Eu(3+)/sensitizer complex for latent fingerprint detection. Forensic Sci Int. 2007 Oct 1; [Epub ahead of print]

  • Implant surface analysis and microbiologic evaluation of failed implants retrieved from smokers. J Oral Implantol. 2007;33(4):232-8.

  • Assembly of nanosize metallic particles and molecular wires on electrode surfaces. Chem Commun (Camb). 2007 Oct 21;(39):3983-9. Epub 2007 May 29.

  • Characterization of the calcification of cardiac valve bioprostheses by environmental scanning electron microscopy and vibrational spectroscopy. J Microsc. 2007 Oct;228(Pt 1):62-77.

  • Remotely adjustable check-valves with an electrochemical release mechanism for implantable biomedical microsystems.
    Biomed Microdevices. 2007 Jan 25; [Epub ahead of print]

  • Implantable microscale neural interfaces.
    Biomed Microdevices. 2007 Jan 25; [Epub ahead of print]

  • Towards electrically conductive, self-healing materials.
    J R Soc Interface. 2007 Jan 3; [Epub ahead of print]

  • Skin capacitance imaging of acne lesions.
    Skin Res Technol. 2007 Feb;13(1):9-12.

  • Effects of charge and size on condensation of supersaturated water vapor on nanoparticles of SiO(2).
    J Chem Phys. 2007 Jan 21;126(3):034701.

  • Electronic Properties of Si and Ge Atoms Doped In Clusters: In(n)()Si(m)() and In(n)()Ge(m)().
    J Phys Chem A Mol Spectrosc Kinet Environ Gen Theory. 2007 Feb 1;111(4):573-7.

  • Molecular Recognition Forces between Immunoglobulin G and a Surface Protein Adhesin on Living Staphylococcus aureus.
    Langmuir. 2007 Jan 24; [Epub ahead of print]

  • Syntheses and X-ray Diffraction, Photochemical, and Optical Characterization of Cu(2)Si(x)()Sn(1-)(x)()S(3) (0.4 </= x </= 0.6) for Photovoltaic Applications.
    Inorg Chem. 2007 Jan 24; [Epub ahead of print]

  • Adsorption of Trimethoxysilane and of 3-Mercaptopropyltrimethoxysilane on Silica and on Silicon Wafers from Vapor Phase: An IR Study.
    Langmuir. 2007 Jan 23; [Epub ahead of print]

  • Comparison of Protein Surface Attachment on Untreated and Plasma Immersion Ion Implantation Treated Polystyrene: Protein Islands and Carpet.
    Langmuir. 2007 Jan 23; [Epub ahead of print]

 

 

 

 

American Elements Products can also be sourced at these sites:
 
 
 
electronics-ee.com